単結晶シリコンを引き上げる際、溶解温度は1400℃超と極めて高くなりますが、耐熱性に優れた等方性黒鉛はライフアップに貢献しています。

不純物を嫌う環境下では高純度品が、脱ガス・SiOガスとの反応やパーティクルを嫌う環境ではコーティング品(SiCコート被覆材 PERMA KOTE®や熱分解炭素被覆材 PYROGRAPH®)が使われ、また大型炉には軽量でハンドリングしやすいC/Cコンポジットが使用されています。

るつぼ
シリコン単結晶を製造する際、石英るつぼを保持するために、高強度で消耗の少ない当社の等方性高純度黒鉛るつぼが最適です。

ヒーター
熱伝導率のよい等方性黒鉛は半導体・太陽電池製造用の発熱体として必要不可欠な材料です。
当社は要求抵抗値などの使用条件に合わせたヒーター設計の提案や、複雑な形状の加工が可能です。

その他各種炉内部材にも広く採用されております。

エピタキシャルプロセスでは、シリコンウェハーをエピタキシャル炉の中で約1200℃まで加熱、気化された四塩化珪素（SiCl₄）、三塩化シラン（SiHCl₃）を炉内に流し、ウェハー表面上エピタキシャル成長させます。

そのため、耐熱性、耐薬品性、防塵性に優れたSiCコート被覆材 PERMA KOTE®サセプターが広く採用されています。

また、サセプターはウェハーに接触するパーツであり、その寸法精度や表面粗さがウェハーの温度分布に影響を及ぼすため、高い寸法精度と滑らかなSiC膜が要求されます。

当社は、独自の技術による黒鉛基材加工やSiC膜制御、また高い分析力を活かした技術サポートにより、お客様の要求に応じた最適な製品を提供いたします。