CVD(化学的気相成長)法にて緻密な炭化ケイ素(SiC)を被覆します。

• 使用する環境に対する基材の保護
• 基材からのパーティクル、ガスの発生を抑制
• 基材の表面の改質等が可能
• 最大処理寸法 Φ1050X830H

項目	SiCコーティング条件
最大サイズ(mm)	Φ1050x830H
SiC膜厚(μm)	120±30
金属不純物含有量(mass ppm)※GDMS法による測定例	B:0.15 / Na:0.02Al:0.01 / Cr: <0.1Fe:0.02 / <0.01

※SiC膜厚についてはご相談に応じます。

C/Cコンポジット製品に炭化珪素（SiC）を被覆することにより、基材の持つ軽さや機械的強度、耐熱性・耐衝撃性はそのままに、課題である発塵を抑制し、耐ガス反応性や耐酸化性、また耐浸炭性などの優れた特性をもたらします。

SiCコート被覆材 PERMA-KOTE®

CVD(化学的気相成長)法により熱分解炭素を被覆します。

• ガス不浸透性の向上
• 基材からのパーティクル、ガスの発生を抑制
• 耐薬品性の向上

熱分解炭素被覆材 PYROGRAPH®

基材にガラス状炭素を含浸あるいは被覆します。

• ガス不透過性の向上
• 基材からのパーティクルの発生を抑制

基材に当社の等方性黒鉛製造技術と炭化ケイ素(SiC)の研究成果を活かして開発された技術です。

• 耐ブリスター性に優れ、かつ耐摩耗性、耐酸化性の向上
• 基材からのパーティクル発生を抑制