CVD(化学的気相成長)法にて緻密な炭化ケイ素(SiC)を被覆します。
項目 | SiCコーティング条件 |
最大サイズ(mm) | Φ1050x830H |
SiC膜厚(μm) | 120±30 |
金属不純物含有量(mass ppm)※GDMS法による測定例 | B:0.15 / Na:0.02Al:0.01 / Cr: <0.1Fe:0.02 / <0.01 |
C/Cコンポジット製品に炭化珪素(SiC)を被覆することにより、基材の持つ軽さや機械的強度、耐熱性・耐衝撃性はそのままに、課題である発塵を抑制し、耐ガス反応性や耐酸化性、また耐浸炭性などの優れた特性をもたらします。
基材に当社の等方性黒鉛製造技術と炭化ケイ素(SiC)の研究成果を活かして開発された技術です。
ご発注いただいた製品に超音波洗浄処理を施し、表面上のパーティクルを除去します。各種サイズの処理が可能で、大型サイズにも対応しておりますので、ご希望の製品寸法をお申しつけください。